光生伏特效應(yīng)

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

敏化劑

激活劑

本征吸收

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。