光生伏特效應(yīng)

TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。

MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費米能級是相等的。

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

光電導(dǎo)效應(yīng)

陰極射線致發(fā)光

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。

內(nèi)光電效應(yīng)