MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

磁滯回線

本征光電導(dǎo)

等離子體

TEM觀測與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。

非本征光電導(dǎo)

光生伏特效應(yīng)

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。