硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。