新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。