化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。