光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的特點包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

常壓的硅外延方法有（）。