•建立濃度差 •雜質擴散至合適的結深 •雜質與硅原子成鍵
最新試題
目前制備SOI材料的主流技術有幾種?()
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
互連工藝中AL的制備可選用()。
摻雜后,退火的目的是()。
進行溝槽填充常用的金屬材料是()。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
新的平坦化方法有哪幾個?()
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物?()
摻雜后退火時間一般在()。
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子?()