A、每級荷載可取預(yù)估破壞荷載的10%
B、應(yīng)在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完,然后恒載2min
C、加荷至預(yù)估破壞荷載的90%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
D、加荷至預(yù)估破壞荷載的80%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
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A、一個
B、二個
C、若干個
D、三個
E、以上都不對
A、料石檢查產(chǎn)品質(zhì)量證明書
B、石材試驗報告
C、砂漿試塊試驗報告
D、產(chǎn)品使用說明書
A.10萬
B.8萬
C.6萬
D.3萬
A.7d
B.14d
C.28d
D.36d
A.±20mm
B.±15mm
C.±10mm
D.±5mm
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
可用作硅片的研磨材料是()
改良西門子法的顯著特點不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。