單項選擇題配筋砌體工程中網(wǎng)狀配筋砌體的受力鋼筋保護(hù)層厚度允許偏差為（）。
A.±20mm
B.±15mm
C.±10mm
D.±5mm
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1.單項選擇題配筋砌體中受力鋼筋的連接方式及錨固長度、搭接長度應(yīng)符合設(shè)計要求。每檢驗批抽查不應(yīng)少于（）處。
A.3處
B.5處
C.6處
D.10處
2.單項選擇題配筋砌體工程中構(gòu)造柱與墻體的連接，墻體應(yīng)砌成馬牙槎，馬牙槎凹凸尺寸不宜小于60mm，高度不應(yīng)超過（）。
A.200mm
B.250mm
C.300mm
D.350mm
3.單項選擇題構(gòu)造柱、芯柱、組合砌體構(gòu)件、配筋砌體剪力墻構(gòu)件的混凝土及砂漿的強(qiáng)度等級應(yīng)符合設(shè)計要求，每個檢驗批砌體，試塊不應(yīng)少于1組，驗收批砌體試塊不得少于（）。
A.1組
B.2組
C.3組
D.4組
4.單項選擇題毛石墻和磚墻相接的轉(zhuǎn)角處和交接處應(yīng)同時砌筑。轉(zhuǎn)角處、交接處應(yīng)自縱墻每個4-6皮磚高度引出不小于（）與橫墻相接。
A.120mm
B.120mm
C.140mm
D.160mm
5.單項選擇題混凝土小型空心砌塊砌體工程中，每一生產(chǎn)廠家，每（）小切塊為一驗收批，不足數(shù)量時按一批計，抽檢數(shù)量為1組。
A.1萬塊
B.1.5萬塊
C.2萬塊
D.2.5萬塊
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題