單項(xiàng)選擇題CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

A.加料--熔化--縮頸生長--等徑生長--放肩生長--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長--放肩生長--等徑生長--收尾
C.加料--熔化--等徑生長-放肩生長--縮頸生長--收尾
D.加料--熔化--等徑生長長--縮頸生長--放肩生長--收尾


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1.單項(xiàng)選擇題懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低

2.多項(xiàng)選擇題鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

A.鈍化晶界
B.鈍化錯(cuò)位
C.鈍化電活性雜質(zhì)

3.單項(xiàng)選擇題鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長過程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應(yīng)引入的氧
D.外界空氣的進(jìn)入

4.單項(xiàng)選擇題制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布

5.單項(xiàng)選擇題改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定