多項(xiàng)選擇題砌體工程施工中，石材及砂漿強(qiáng)度等級(jí)必須符合設(shè)計(jì)要求。檢驗(yàn)方法包括（）。
A、料石檢查產(chǎn)品質(zhì)量證明書
B、石材試驗(yàn)報(bào)告
C、砂漿試塊試驗(yàn)報(bào)告
D、產(chǎn)品使用說(shuō)明書
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題燒結(jié)空心磚每（）塊為一驗(yàn)收批，小砌塊每1萬(wàn)塊為一驗(yàn)收批，不足上述數(shù)量時(shí)按一批計(jì)，抽檢數(shù)量為一組。
A.10萬(wàn)
B.8萬(wàn)
C.6萬(wàn)
D.3萬(wàn)
2.單項(xiàng)選擇題填充墻砌體砌筑，應(yīng)待承重主體結(jié)構(gòu)檢驗(yàn)批驗(yàn)收合格后進(jìn)行。填充墻與承重主體結(jié)構(gòu)間的空隙部位施工，應(yīng)在填充墻砌筑（）后進(jìn)行。
A.7d
B.14d
C.28d
D.36d
3.單項(xiàng)選擇題配筋砌體工程中網(wǎng)狀配筋砌體的受力鋼筋保護(hù)層厚度允許偏差為（）。
A.±20mm
B.±15mm
C.±10mm
D.±5mm
4.單項(xiàng)選擇題配筋砌體中受力鋼筋的連接方式及錨固長(zhǎng)度、搭接長(zhǎng)度應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。每檢驗(yàn)批抽查不應(yīng)少于（）處。
A.3處
B.5處
C.6處
D.10處
5.單項(xiàng)選擇題配筋砌體工程中構(gòu)造柱與墻體的連接，墻體應(yīng)砌成馬牙槎，馬牙槎凹凸尺寸不宜小于60mm，高度不應(yīng)超過(guò)（）。
A.200mm
B.250mm
C.300mm
D.350mm
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題