單項選擇題切制抗壓試件法取樣部位每側(cè)的墻體寬度不應(yīng)小于（），且應(yīng)為墻體長度方向的中部或受力較小處。
A.1m
B.1.5m
C.1.8m
D.2m
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1.單項選擇題扁頂法不適用于測試墻體破壞荷載大于（）KN的墻體。
A.300
B.350
C.400
D.450
2.單項選擇題原位軸壓法僅限用于（）厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
3.單項選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法，檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用（）。
A.點荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
4.單項選擇題對既有建筑物或應(yīng)委托方要求僅對建筑物的部分或個別部位檢測時，一個檢測單元的測區(qū)數(shù)不宜少于（）個。
A.3個
B.4個
C.5個
D.6個
5.單項選擇題砂漿回彈法每一測區(qū)內(nèi)測點數(shù)不少于（）。
A.10
B.8
C.6
D.5
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題