單項選擇題扁頂法不適用于測試墻體破壞荷載大于（）KN的墻體。
A.300
B.350
C.400
D.450
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1.單項選擇題原位軸壓法僅限用于（）厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
2.單項選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法，檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用（）。
A.點荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
3.單項選擇題對既有建筑物或應(yīng)委托方要求僅對建筑物的部分或個別部位檢測時，一個檢測單元的測區(qū)數(shù)不宜少于（）個。
A.3個
B.4個
C.5個
D.6個
4.單項選擇題砂漿回彈法每一測區(qū)內(nèi)測點數(shù)不少于（）。
A.10
B.8
C.6
D.5
5.單項選擇題下列關(guān)于檢測單元、測區(qū)和測點的劃分錯誤的是（）。
A.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時，可按樓層劃分檢測單元
B.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時，按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個結(jié)構(gòu)單元，劃分為若干個檢測單元
D.每一個檢測單元內(nèi)，不宜少于6個測區(qū)
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題