單項選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法，檢測砌體工作應力、彈性模量可采用（）。
A.點荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
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1.單項選擇題對既有建筑物或應委托方要求僅對建筑物的部分或個別部位檢測時，一個檢測單元的測區(qū)數(shù)不宜少于（）個。
A.3個
B.4個
C.5個
D.6個
2.單項選擇題砂漿回彈法每一測區(qū)內測點數(shù)不少于（）。
A.10
B.8
C.6
D.5
3.單項選擇題下列關于檢測單元、測區(qū)和測點的劃分錯誤的是（）。
A.當檢測對象為整棟建筑物時，可按樓層劃分檢測單元
B.當檢測對象為整棟建筑物時，按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個結構單元，劃分為若干個檢測單元
D.每一個檢測單元內，不宜少于6個測區(qū)
4.單項選擇題砌體結構每一個檢測單元內，不宜少于（）測區(qū)，應將單個構件（單片墻、柱）作為一個測區(qū)。
A.5
B.6
C.8
D.10
5.單項選擇題砌體工程現(xiàn)場檢測在調查階段下列哪項工作是錯誤的（）。
A.在檢測完成后在收集工程建設時間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗收資料
C.磚與砂漿的品種及有關原材料的測試資料
D.現(xiàn)場調查工程的結構形式、環(huán)境條件
最新試題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題