MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。