多項選擇題半導體工藝技術中,器件互連材料通常包括()等。
A.金屬
B.合金
C.多晶硅
D.金屬硅化物
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1.多項選擇題硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產生的()材料等。
A.SiO2
B.SiON
C.Si3N4
2.多項選擇題材料根據流經材電流的不同可分為三類()。
A.導體
B.絕緣體
C.半導體
3.多項選擇題20世紀上半葉對半導體產業(yè)量展做出貢獻的4種不同產業(yè)主要是()。
A.真空管電子學
B.無線電通信
C.機械制表機
D.固體物理
4.多項選擇題晶體管的名字取自于()和()兩詞。
A.跨導
B.變阻器
C.導體
5.多項選擇題由硅片生產的半導體產品,又被稱為()。
A.微芯片
B.芯片
C.硅片
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圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
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MOS場效應管(MOSFET)在20世紀70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數載流子來區(qū)別。
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