MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。