你可能感興趣的試題

填空題
制作鎢塞的主要工藝步驟是：1、（）；2、（）；3、（）；4、磨拋鎢。
答案：鈦淀積阻擋層；氮化鈦淀積；鎢淀積
填空題
制作通孔的主要工藝步驟是：1、（）；2、（）；3、（）。
答案：第一層層間介質(zhì)氧化物淀積；氧化物磨拋；第十層掩模和第一層層間介質(zhì)刻蝕
填空題
制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料是圓形單晶薄片，稱為硅片或（）。在硅片制造廠，由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）或（）。
答案：硅襯底；微芯片；芯片
填空題
集成電路的制造分為五個(gè)階段，分別為（）、（）、硅片測(cè)試和揀選、（）、終測(cè)。
答案：硅片的制備；硅片制造；裝配和封裝
填空題
集成電路的發(fā)展時(shí)代分為（）、中規(guī)模集成電路MSI、（）、超大規(guī)模集成電路VLSI、（）。
答案：小規(guī)模集成電路SSI；大規(guī)模集成電路LSI；甚大規(guī)模集成電路ULSI
填空題
芯片硅片制造廠可以分為6個(gè)獨(dú)立的生產(chǎn)區(qū)：擴(kuò)散區(qū)、（）、刻蝕區(qū)、（）、（）和拋光區(qū)。
答案：光刻區(qū)；注入?yún)^(qū)；薄膜區(qū)
填空題
熱擴(kuò)散利用（）驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)穿過(guò)硅的晶體結(jié)構(gòu)，這種方法受到（）和（）的影響。
答案：高溫；時(shí)間；溫度
填空題
硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個(gè)步驟（）、（）和（）。
答案：預(yù)淀積；推進(jìn)；激活
填空題
集成電路制造中摻雜類工藝有（）和（）兩種。
答案：熱擴(kuò)散；離子注入
填空題
擴(kuò)散是物質(zhì)的一個(gè)基本性質(zhì)，描述了（）的情況。其發(fā)生有兩個(gè)必要條件（）和（）。
答案：一種物質(zhì)在另一種物質(zhì)中的運(yùn)動(dòng)；一種材料的濃度必須高于另一種材料的濃度；系統(tǒng)內(nèi)必須有足夠的能量使高濃度的材料進(jìn)入或通過(guò)另一...

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半導(dǎo)體級(jí)硅的純度為99.9999999%。

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制作鎢塞的主要工藝步驟是：1、（）；2、（）；3、（）；4、磨拋鎢。

制作通孔的主要工藝步驟是：1、（）；2、（）；3、（）。

制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料是圓形單晶薄片，稱為硅片或（）。在硅片制造廠，由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）或（）。

集成電路的制造分為五個(gè)階段，分別為（）、（）、硅片測(cè)試和揀選、（）、終測(cè)。

集成電路的發(fā)展時(shí)代分為（）、中規(guī)模集成電路MSI、（）、超大規(guī)模集成電路VLSI、（）。

芯片硅片制造廠可以分為6個(gè)獨(dú)立的生產(chǎn)區(qū)：擴(kuò)散區(qū)、（）、刻蝕區(qū)、（）、（）和拋光區(qū)。

熱擴(kuò)散利用（）驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)穿過(guò)硅的晶體結(jié)構(gòu)，這種方法受到（）和（）的影響。

硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個(gè)步驟（）、（）和（）。

集成電路制造中摻雜類工藝有（）和（）兩種。

擴(kuò)散是物質(zhì)的一個(gè)基本性質(zhì)，描述了（）的情況。其發(fā)生有兩個(gè)必要條件（）和（）。

半導(dǎo)體級(jí)硅的純度為99.9999999%。

你可能感興趣的試題

制作鎢塞的主要工藝步驟是：1、（）；2、（）；3、（）；4、磨拋鎢。

制作通孔的主要工藝步驟是：1、（）；2、（）；3、（）。

制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料是圓形單晶薄片，稱為硅片或（）。在硅片制造廠，由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）或（）。

集成電路的制造分為五個(gè)階段，分別為（）、（）、硅片測(cè)試和揀選、（）、終測(cè)。

集成電路的發(fā)展時(shí)代分為（）、中規(guī)模集成電路MSI、（）、超大規(guī)模集成電路VLSI、（）。

芯片硅片制造廠可以分為6個(gè)獨(dú)立的生產(chǎn)區(qū)：擴(kuò)散區(qū)、（）、刻蝕區(qū)、（）、（）和拋光區(qū)。

熱擴(kuò)散利用（）驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)穿過(guò)硅的晶體結(jié)構(gòu)，這種方法受到（）和（）的影響。

硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個(gè)步驟（）、（）和（）。

集成電路制造中摻雜類工藝有（）和（）兩種。

擴(kuò)散是物質(zhì)的一個(gè)基本性質(zhì)，描述了（）的情況。其發(fā)生有兩個(gè)必要條件（）和（）。

半導(dǎo)體級(jí)硅的純度為99.9999999%。

制作鎢塞的主要工藝步驟是：1、（）；2、（）；3、（）；4、磨拋鎢。

制作通孔的主要工藝步驟是：1、（）；2、（）；3、（）。

制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料是圓形單晶薄片，稱為硅片或（）。在硅片制造廠，由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）或（）。

集成電路的制造分為五個(gè)階段，分別為（）、（）、硅片測(cè)試和揀選、（）、終測(cè)。

集成電路的發(fā)展時(shí)代分為（）、中規(guī)模集成電路MSI、（）、超大規(guī)模集成電路VLSI、（）。

芯片硅片制造廠可以分為6個(gè)獨(dú)立的生產(chǎn)區(qū)：擴(kuò)散區(qū)、（）、刻蝕區(qū)、（）、（）和拋光區(qū)。

熱擴(kuò)散利用（）驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)穿過(guò)硅的晶體結(jié)構(gòu)，這種方法受到（）和（）的影響。

硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個(gè)步驟（）、（）和（）。

集成電路制造中摻雜類工藝有（）和（）兩種。

擴(kuò)散是物質(zhì)的一個(gè)基本性質(zhì)，描述了（）的情況。其發(fā)生有兩個(gè)必要條件（）和（）。