平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級是相等的。

內(nèi)光電效應(yīng)

TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

光電導(dǎo)效應(yīng)

激活劑

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。