硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。