A、實驗應(yīng)在1小時內(nèi)做完
B、試驗段長度應(yīng)為2米
C、實驗前應(yīng)做硬度試驗
D、最終的總應(yīng)變越小越好
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A、錨頭端預(yù)應(yīng)力筋斷裂
B、滑絲
C、內(nèi)縮值偏大
D、夾片斷裂
A、鋼質(zhì)錐塞式
B、預(yù)應(yīng)力錐塞式
C、熱鑄錐塞式
D、冷鑄錐塞式
A、焊接預(yù)應(yīng)力筋后應(yīng)加熱
B、只能用于預(yù)應(yīng)力構(gòu)件內(nèi)部
C、焊接應(yīng)在冷拉之前進(jìn)行
D、不能和鋼絞線直接連接
A、第一層網(wǎng)片與墊板之間距離宜小于25mm
B、網(wǎng)片之間距離不宜過大
C、網(wǎng)片筋中的鋼筋間距不宜過大
D、網(wǎng)片筋在錨固區(qū)使用
A、內(nèi)縮量試驗
B、錨固端摩阻損失
C、靜載試驗
D、張拉錨固工藝試驗
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）