A、第一層網(wǎng)片與墊板之間距離宜小于25mm
B、網(wǎng)片之間距離不宜過大
C、網(wǎng)片筋中的鋼筋間距不宜過大
D、網(wǎng)片筋在錨固區(qū)使用
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A、內縮量試驗
B、錨固端摩阻損失
C、靜載試驗
D、張拉錨固工藝試驗
A、內縮量
B、總應變
C、錨頭損失
D、效率系數(shù)
A、試驗應力為0.75倍預應力筋抗拉強度
B、測量的是工具錨下應力與喇叭形墊板收口處的應力差異
C、摩阻損失包括錨具內的損失和墊板中的損失
D、實驗結果為3組平行實驗的平均值
A、內縮量測量分為直接測量方式和間接測量方式
B、試驗應力為0.8倍預應力筋抗拉強度
C、可以通過測量預應力筋錨固過程中的應力變化得到
D、靜載實驗用的裝置一般不合適用于內縮量試驗
A、總應變測量若采用量具標距的方式,標距長度不應小于1m
B、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應該考慮實驗儀器的彈性應變
C、若采用測量加荷端油缸的位移方式,總長度應為兩個夾片起夾點之間的距離
D、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應該考慮固定端的內縮值
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
下列是晶體的是()。
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法