A、鋼質(zhì)錐塞式
B、預(yù)應(yīng)力錐塞式
C、熱鑄錐塞式
D、冷鑄錐塞式
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A、焊接預(yù)應(yīng)力筋后應(yīng)加熱
B、只能用于預(yù)應(yīng)力構(gòu)件內(nèi)部
C、焊接應(yīng)在冷拉之前進行
D、不能和鋼絞線直接連接
A、第一層網(wǎng)片與墊板之間距離宜小于25mm
B、網(wǎng)片之間距離不宜過大
C、網(wǎng)片筋中的鋼筋間距不宜過大
D、網(wǎng)片筋在錨固區(qū)使用
A、內(nèi)縮量試驗
B、錨固端摩阻損失
C、靜載試驗
D、張拉錨固工藝試驗
A、內(nèi)縮量
B、總應(yīng)變
C、錨頭損失
D、效率系數(shù)
A、試驗應(yīng)力為0.75倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度
B、測量的是工具錨下應(yīng)力與喇叭形墊板收口處的應(yīng)力差異
C、摩阻損失包括錨具內(nèi)的損失和墊板中的損失
D、實驗結(jié)果為3組平行實驗的平均值
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
下列是晶體的是()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
硅片拋光在原理上不可分為()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列哪個不是單晶常用的晶向()