A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、試驗(yàn)?zāi)芊竦玫接行ЫY(jié)果,尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的10%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值或最小值如有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過(guò)中間值的15%時(shí),取中間值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
A、抗折試驗(yàn)過(guò)程中,加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗(yàn)過(guò)程中,加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗(yàn)過(guò)程中,加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗(yàn)過(guò)程中,因砼抗拉性能差,加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.05~0.08MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都不對(duì)
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長(zhǎng)100mm試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長(zhǎng)200mm試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長(zhǎng)100mm試件為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)的砼應(yīng)由試驗(yàn)確定
最新試題
下列是晶體的是()。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
可用作硅片的研磨材料是()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()