A、抗折試驗(yàn)過(guò)程中,加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗(yàn)過(guò)程中,加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗(yàn)過(guò)程中,加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗(yàn)過(guò)程中,因砼抗拉性能差,加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
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A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.05~0.08MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都不對(duì)
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長(zhǎng)100mm試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長(zhǎng)200mm試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長(zhǎng)100mm試件為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)的砼應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的15%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
B、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的10%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的20%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的劈裂抗拉強(qiáng)度值。
A、邊長(zhǎng)100mm的C20級(jí)砼加荷速度取每秒0.2~0.5kN
B、邊長(zhǎng)100mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒0.5~0.8kN
C、邊長(zhǎng)100mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒0.8~1.0kN
D、邊長(zhǎng)150mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒1.8~2.25kN
A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
最新試題
下列是晶體的是()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
可用作硅片的研磨材料是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()