A、孔徑為5mm和0.16mm的標(biāo)準(zhǔn)篩
B、振動(dòng)臺(tái)
C、臺(tái)秤
D、分光光度計(jì)
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A、山砂配制的
B、骨料含泥量波動(dòng)大的
C、強(qiáng)度等級(jí)高的
D、特細(xì)砂配制的
A、水泥/或膠凝材料
B、砼外加劑
C、砂、石骨料
D、水
A、由容器和蓋體兩部分組成
B、容器應(yīng)由軟質(zhì)塑料制成，容積為7L
C、蓋體部分包括有氣室、水找平室、加水閥、排水閥、操作閥、進(jìn)氣閥、排氣閥及壓力表
D、壓力表的量程為0～6MPa，精度為1MPa
A、《普通砼拌合物性能試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50080-2002標(biāo)準(zhǔn)中采用的是一種氣壓法的含氣量試驗(yàn)方法
B、《普通砼拌合物性能試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50080-2002標(biāo)準(zhǔn)中采用的是一種水壓法的含氣量試驗(yàn)方法
C、砼拌合物含氣量通常是指不包含骨料組分材料本身含氣量在內(nèi)的含氣量
D、適用于各種骨料最粒徑的砼拌合物含氣量測(cè)定
A、用濕布把容量筒內(nèi)外擦干凈，在分析天平上稱出容量筒質(zhì)量，精確至0.001g
B、采用搗棒手工搗實(shí)時(shí)，若用大于5L的容量筒，每層裝料高度不應(yīng)大于100mm
C、采用振動(dòng)臺(tái)振實(shí)時(shí)，應(yīng)分二層均勻裝料，第一層料振實(shí)后，再裝第二層料
D、用刮尺刮去筒口多余的拌合物，表面如有凹陷應(yīng)補(bǔ)平
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）