A、由容器和蓋體兩部分組成
B、容器應由軟質(zhì)塑料制成,容積為7L
C、蓋體部分包括有氣室、水找平室、加水閥、排水閥、操作閥、進氣閥、排氣閥及壓力表
D、壓力表的量程為0~6MPa,精度為1MPa
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A、《普通砼拌合物性能試驗方法標準》GB/T50080-2002標準中采用的是一種氣壓法的含氣量試驗方法
B、《普通砼拌合物性能試驗方法標準》GB/T50080-2002標準中采用的是一種水壓法的含氣量試驗方法
C、砼拌合物含氣量通常是指不包含骨料組分材料本身含氣量在內(nèi)的含氣量
D、適用于各種骨料最粒徑的砼拌合物含氣量測定
A、用濕布把容量筒內(nèi)外擦干凈,在分析天平上稱出容量筒質(zhì)量,精確至0.001g
B、采用搗棒手工搗實時,若用大于5L的容量筒,每層裝料高度不應大于100mm
C、采用振動臺振實時,應分二層均勻裝料,第一層料振實后,再裝第二層料
D、用刮尺刮去筒口多余的拌合物,表面如有凹陷應補平
A、容量筒
B、稱重50kg的臺秤
C、振動臺或搗棒單位重量砼拌合物的壓力泌水數(shù)量
D、稱重200g的分析天平
A、砼拌合物總壓力泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的壓力泌水數(shù)量
C、單位重量砼拌合物的壓力泌水數(shù)量
D、加壓至10s時的泌水量與加壓至140s時的泌水量之比
A、搗棒
B、壓力泌水儀
C、振動臺
D、量筒
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
改良西門子法的顯著特點不包括()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。