A、《普通砼拌合物性能試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50080-2002標(biāo)準(zhǔn)中采用的是一種氣壓法的含氣量試驗(yàn)方法
B、《普通砼拌合物性能試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50080-2002標(biāo)準(zhǔn)中采用的是一種水壓法的含氣量試驗(yàn)方法
C、砼拌合物含氣量通常是指不包含骨料組分材料本身含氣量在內(nèi)的含氣量
D、適用于各種骨料最粒徑的砼拌合物含氣量測(cè)定
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、用濕布把容量筒內(nèi)外擦干凈，在分析天平上稱(chēng)出容量筒質(zhì)量，精確至0.001g
B、采用搗棒手工搗實(shí)時(shí)，若用大于5L的容量筒，每層裝料高度不應(yīng)大于100mm
C、采用振動(dòng)臺(tái)振實(shí)時(shí)，應(yīng)分二層均勻裝料，第一層料振實(shí)后，再裝第二層料
D、用刮尺刮去筒口多余的拌合物，表面如有凹陷應(yīng)補(bǔ)平
A、容量筒
B、稱(chēng)重50kg的臺(tái)秤
C、振動(dòng)臺(tái)或搗棒單位重量砼拌合物的壓力泌水?dāng)?shù)量
D、稱(chēng)重200g的分析天平
A、砼拌合物總壓力泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的壓力泌水?dāng)?shù)量
C、單位重量砼拌合物的壓力泌水?dāng)?shù)量
D、加壓至10s時(shí)的泌水量與加壓至140s時(shí)的泌水量之比
A、搗棒
B、壓力泌水儀
C、振動(dòng)臺(tái)
D、量筒
A、泵送性能變差
B、拌合物離析
C、凝結(jié)時(shí)間明顯縮短
D、含氣量明顯增大
最新試題
可用作硅片的研磨材料是（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
下列是晶體的是（）。
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法