A、用濕布把容量筒內(nèi)外擦干凈,在分析天平上稱出容量筒質(zhì)量,精確至0.001g
B、采用搗棒手工搗實時,若用大于5L的容量筒,每層裝料高度不應大于100mm
C、采用振動臺振實時,應分二層均勻裝料,第一層料振實后,再裝第二層料
D、用刮尺刮去筒口多余的拌合物,表面如有凹陷應補平
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A、容量筒
B、稱重50kg的臺秤
C、振動臺或搗棒單位重量砼拌合物的壓力泌水數(shù)量
D、稱重200g的分析天平
A、砼拌合物總壓力泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的壓力泌水數(shù)量
C、單位重量砼拌合物的壓力泌水數(shù)量
D、加壓至10s時的泌水量與加壓至140s時的泌水量之比
A、搗棒
B、壓力泌水儀
C、振動臺
D、量筒
A、泵送性能變差
B、拌合物離析
C、凝結(jié)時間明顯縮短
D、含氣量明顯增大
A、泵送性能
B、凝結(jié)性能
C、和易性能
D、保水性能
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
可用作硅片的研磨材料是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
PN結(jié)的基本特性是()