A、水泥/或膠凝材料
B、砼外加劑
C、砂、石骨料
D、水
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A、由容器和蓋體兩部分組成
B、容器應由軟質(zhì)塑料制成,容積為7L
C、蓋體部分包括有氣室、水找平室、加水閥、排水閥、操作閥、進氣閥、排氣閥及壓力表
D、壓力表的量程為0~6MPa,精度為1MPa
A、《普通砼拌合物性能試驗方法標準》GB/T50080-2002標準中采用的是一種氣壓法的含氣量試驗方法
B、《普通砼拌合物性能試驗方法標準》GB/T50080-2002標準中采用的是一種水壓法的含氣量試驗方法
C、砼拌合物含氣量通常是指不包含骨料組分材料本身含氣量在內(nèi)的含氣量
D、適用于各種骨料最粒徑的砼拌合物含氣量測定
A、用濕布把容量筒內(nèi)外擦干凈,在分析天平上稱出容量筒質(zhì)量,精確至0.001g
B、采用搗棒手工搗實時,若用大于5L的容量筒,每層裝料高度不應大于100mm
C、采用振動臺振實時,應分二層均勻裝料,第一層料振實后,再裝第二層料
D、用刮尺刮去筒口多余的拌合物,表面如有凹陷應補平
A、容量筒
B、稱重50kg的臺秤
C、振動臺或搗棒單位重量砼拌合物的壓力泌水數(shù)量
D、稱重200g的分析天平
A、砼拌合物總壓力泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的壓力泌水數(shù)量
C、單位重量砼拌合物的壓力泌水數(shù)量
D、加壓至10s時的泌水量與加壓至140s時的泌水量之比
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
在通常情況下,GaN呈()型結構。
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()