拋光片的電學參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）

光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）

離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）

設置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強度的50％。（）

可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。（）

邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個值。（）

晶體的特點是在各不同晶向上的物理性能、機械性能、化學性能都相同。（）

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結質(zhì)量優(yōu)劣的重要標志。（）

遷移率是反映半導體中載流子導電能力的重要參數(shù)。摻雜半導體的電導率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導率就越高。（）

硅MOSFET和硅JFET結構相同。（）