A.掩膜版
B.擴(kuò)散
C.光刻
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A.化學(xué)刻蝕機(jī)理
B.物理刻蝕機(jī)理
C.物理的濺射刻蝕和化學(xué)的反應(yīng)刻蝕相結(jié)合
A.高斯
B.余誤差
C.指數(shù)
A.熱塑性樹脂
B.熱固性或橡膠型膠粘劑
A.80%~90%
B.10%~20%
C.40%-50%
A.管帽變形
B.鍍金層的變形
C.底座變形
最新試題
濺射法是由()轟擊靶材表面,使靶原子從靶表面飛濺出來淀積在襯底上形成薄膜。
恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為()分布。
引線焊接有哪些質(zhì)量要求?
在低溫玻璃密封工藝中,常用的運(yùn)載劑由2%(質(zhì)量比)的硝化纖維素溶解于98%(質(zhì)量比)的醋酸異戊酯或松油醇中制得,再將20%的運(yùn)載劑與()的玻璃料均勻混合,配成印刷漿料。
塑封中注塑成型工藝主要工藝參數(shù)有()、模具溫度、合模壓力、注射壓力、注射速度和成型時(shí)間。
典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程?
簡述在芯片制造中對(duì)金屬電極材料有什么要求?
氣中的一個(gè)小塵埃將影響整個(gè)芯片的()性、()率,并影響其電學(xué)性能和()性,所以半導(dǎo)體芯片制造工藝需在超凈廠房內(nèi)進(jìn)行。
延生長方法比較多,其中主要的有()外延、()外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。
禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易,一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬,所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子()外界因素(如高溫和輻射等)的干擾而產(chǎn)生變化。