半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。