A.4V
B.5V
C.6V
D.8V
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A.不能跳變
B.可以跳變
C.充電時(shí)間按指數(shù)規(guī)律減小
D.充電時(shí)間按正比例規(guī)律增加
最新試題
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級(jí)原型的符號(hào)有()。
CG放大器因其輸入電阻過(guò)小,因此沒(méi)什么用處。
當(dāng)VGS=0時(shí),能夠?qū)ǖ腗OS管為()
現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個(gè)加數(shù),ci為來(lái)自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義:下面通過(guò)層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。
?CD放大器的性能特征有()。?
?某次電路實(shí)驗(yàn)中,一同學(xué)按如下電路圖連接電路,完成實(shí)驗(yàn)。其中D0,D1端為輸入端,S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,該同學(xué)觀測(cè)到輸出端S0,S1端輸出電平分別為邏輯高電平,邏輯低電平。請(qǐng)問(wèn)此刻電路輸入端D0,D1電平可能分別為()。
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大,溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
?CG放大器的性能描述合理的是()。
?電路如圖所示,如果電容C2開(kāi)路,則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)(),漏極交流電壓將會(huì)(),增益將會(huì)()。
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示,當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象?()