半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問(wèn)答題每日一練(2019.07.22)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.問(wèn)答題什么是擴(kuò)散效應(yīng)？什么是自摻雜效應(yīng)？這兩個(gè)效應(yīng)使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？

參考答案：擴(kuò)散效應(yīng)是指襯底中的雜質(zhì)與外延層中的雜質(zhì)，在外延生長(zhǎng)時(shí)互相擴(kuò)散，引起襯底與外延層界面附近雜質(zhì)濃度的緩慢變化。擴(kuò)散效應(yīng)對(duì)界...

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2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)別。

參考答案：在光柵掃描方法中，每一個(gè)像素必須被逐次掃描。這樣，曝光時(shí)間幾乎與圖形無(wú)關(guān)，圖形就是通過(guò)打開和關(guān)閉快門寫出來(lái)的。而已經(jīng)開發(fā)...

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3.問(wèn)答題 Si-SiO₂界面電荷有哪幾種？簡(jiǎn)述其來(lái)源及處理辦法。

參考答案：可動(dòng)離子電荷Q_m來(lái)源：主要來(lái)源于Na+等網(wǎng)絡(luò)改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過(guò)程...

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4.問(wèn)答題對(duì)于某種薄膜的CVD過(guò)程，淀積溫度為900℃，質(zhì)量傳輸系數(shù)hG=10cms-1，表面反應(yīng)速率系數(shù)ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。現(xiàn)有以下兩種淀積系統(tǒng)可供選擇（1）冷壁，石墨支座型；（2）熱壁，堆放硅片型。應(yīng)該選用哪種類型的淀積系統(tǒng)并簡(jiǎn)述理由。

參考答案：反應(yīng)室類型熱壁：反應(yīng)室腔壁與硅片及支撐件同時(shí)加熱。一般為電阻絲加熱，可精確控制反應(yīng)腔溫度和均勻性。適合對(duì)溫度控制要求苛刻...

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5.問(wèn)答題 下圖為硅外延生長(zhǎng)速度對(duì)H₂中SiCL₄摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢(shì)，并給出其變化的原因。

參考答案：SiCL₄濃度較小，SiCL₄被氫還原析出硅原子的速度遠(yuǎn)小于被釋放出來(lái)的硅原...

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