集成電路制造工藝員（三級）單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.01.21)

來源：考試資料網(wǎng)

1 刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒有被（）覆蓋及保護(hù)的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。

2 在空位擴(kuò)散中，如果遷移的空位的原子是雜質(zhì)原子，擴(kuò)散稱為（）。

3 損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的（）的分布密切相關(guān)。

4 用g線和i線進(jìn)行曝光時通常使用哪種光刻膠（）。

5 在集成電路工藝中，光復(fù)制圖形和材料刻蝕相結(jié)合的工藝技術(shù)是（）。