集成電路技術(shù)綜合練習章節(jié)練習(2018.03.16)

來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：

互連、接觸、栓塞

參考答案：兩種不同的半導體相接觸所形成的的界面區(qū)域，按照材料的導電類型分為同型異質(zhì)結(jié)和異型異質(zhì)結(jié)，兩種半導體有相似的晶體結(jié)構(gòu)、相近...
參考答案：

圖案發(fā)生器方法、X射線制版、電子束掃描法

參考答案：在本征半導體中摻入少量的3價元素，如硼、鋁或銦，有3個價電子，形成共價鍵時，缺少1個電子，產(chǎn)生1個空位。空穴為多數(shù)載流子...
參考答案：

2單匝線圈和圓形、方形或其他螺旋形多匝線圈

參考答案：

布線變復雜、信號線與地線間的寄生電容增加

參考答案：連線寄生效應的影響：連線存在著寄生電阻、電容；由于金屬的電阻率是基本不變的，這將導致按比例縮小后電路內(nèi)連線的電阻增大；芯...
參考答案：第一次光刻：N+隱埋層擴散孔光刻
第二次光刻：p+隔離擴散空光刻
第三次光刻：P型基區(qū)擴散孔光刻
參考答案：

離子注入損傷，是指獲得很大動能的離子直接進入半導體中造成的一些晶格缺陷。