Si襯底上熱氧化的機理由（）模型確定。氧化反應的快慢與三個因素有關(guān)，即：（）。氧化層厚度的理論計算公式為：式中A、B為與擴散率成正比的常數(shù)，τ為由（）決定的時間修正系數(shù)。
最新試題
摻雜后，退火的目的是（）。
消除鳥嘴效應的方法有（）。
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
新的平坦化方法有哪幾個？（）
芯片粘接的工藝過程包括（）。
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
鳥嘴效應造成的不良影響有（）。
式中A、B為與擴散率成正比的常數(shù)，τ為由（）決定的時間修正系數(shù)。