最新試題
互連工藝中AL的制備可選用()。
厚膜電阻的成分,一是導體顆粒,二是()。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是()。
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關?()
鳥嘴效應造成的不良影響有()。
金屬化中可選用的金屬材料有()。
常壓的硅外延方法有()。
光刻工藝對準誤差包括()。
新的平坦化方法有哪幾個?()