A.死區(qū)電壓為0.1V，正向?qū)妷簽?.3V
B.死區(qū)電壓為0.3V，正向?qū)妷簽?.5V
C.死區(qū)電壓為0.5V，正向?qū)妷簽?.7V
D.死區(qū)電壓為0.7V，正向?qū)妷簽?.9V
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A.PN結(jié)面積小，適用于高頻情況
B.PN結(jié)面積大，適用于高頻情況
C.PN結(jié)面積小，適用于低頻情況
D.PN結(jié)面積大，適用于低頻情況
A.反向
B.擊穿
C.擊穿反向
D.反向擊穿
下列關(guān)于PN結(jié)伏安特性方程中，正確的是（）。?
A.A
B.B
C.C
D.D
A.26V
B.2.6V
C.26mV
D.2.6mV
A.P端電位高，N端電位低
B.N端電位高，P端電位低
C.P端與N端電位相同
D.P、N兩端電位高低不確定
最新試題
?在使用verilog描述一個二選一的數(shù)據(jù)選擇器時，使用一條語句來進(jìn)行描述assign out1=（sel &b）∣（~sel &a），這條語句對應(yīng)的是（）。
?MOSFET源極漏極間的長度L越大，溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
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用作電壓放大器時，CS放大器不合適的參數(shù)為（）。?