IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

光刻工藝的設備核心是（）。

消除鳥嘴效應的方法有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）