單項(xiàng)選擇題以下封裝方式中，具有工業(yè)自動(dòng)化程度高、工藝簡單、容易實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的封裝形式為（）。
A.多層陶瓷雙列直插式封裝
B.塑料單列直插式封裝
C.塑料雙列直插式封裝
D.陶瓷熔封雙列直插式封裝
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1.單項(xiàng)選擇題金屬封裝所使用的的材料除了可達(dá)到良好的密封性之外，還可提供良好的熱傳導(dǎo)及（）。
A.抗腐蝕
B.保護(hù)
C.電屏蔽
D.支撐
2.單項(xiàng)選擇題陶瓷封裝工藝首要的步驟是漿料的制備，漿料成分包含了無機(jī)材料和（）。
A.玻璃粉末
B.有機(jī)材料
C.塑料顆粒
D.陶瓷粉末
3.單項(xiàng)選擇題玻璃膠粘貼法僅適用于（）。
A.塑料封裝
B.陶瓷封裝
C.金屬封裝
D.玻璃封裝
4.單項(xiàng)選擇題?硅晶體內(nèi)部的空間利用率是（）。?
A.24%
B.34%
C.44%
D.66%
5.多項(xiàng)選擇題?塵埃的測(cè)量方法有（）。
A.重量法
B.四探針法
C.過濾法
D.計(jì)數(shù)法
最新試題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題