單項(xiàng)選擇題?硅晶體內(nèi)部的空間利用率是（）。?
A.24%
B.34%
C.44%
D.66%
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1.多項(xiàng)選擇題?塵埃的測(cè)量方法有（）。
A.重量法
B.四探針法
C.過濾法
D.計(jì)數(shù)法
2.單項(xiàng)選擇題?高效過濾器的英文簡(jiǎn)稱是（）。?
A.LEPA
B.HEPA
C.MIC
D.DHF
3.單項(xiàng)選擇題?第一個(gè)鍺晶體管是（）年發(fā)明?。
A.1946
B.1947
C.1957
D.1958
4.多項(xiàng)選擇題硅的四種摻雜方式有以下幾種？（）
A.離子注入
B.擴(kuò)散摻雜法
C.中子嬗變摻雜
D.原位摻雜
5.單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)雜質(zhì)允許在硅中存在的？（）
A.Cu
B.C
C.Na
D.O
最新試題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題