A.共集電極電路
B.共發(fā)射極電路
C.共基極電路
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A.共基極電路
B.阻容耦合電路
C.互補(bǔ)對稱電路
A.2000
B.2500
C.4000
D.5000
A.20
B.30
C.40
D.50
最新試題
?CS、CG和CD三種組態(tài)中,最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示,當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時會出現(xiàn)冒險現(xiàn)象?()
CD放大器因為源極輸出信號幾乎與柵極輸入信號變化一致,因此被稱為“源極跟隨器”。
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級原型的符號有()。
?MOSFET源極漏極間的長度L越大,溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個加數(shù),ci為來自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義:下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用,和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有()。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時,溝道夾斷點向漏極移動。
?CG放大器的性能描述合理的是()。
?CS放大器中引入源極電阻RS,其作用有()。?