常壓的硅外延方法有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。