下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現廢品？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數無關？（）

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的設備核心是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。