光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。