金屬化中可選用的金屬材料有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。