CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。